超臨界流體於微影製程之應用

超臨界流體其低表面張力特性使得一般溶劑很難溼潤的微小孔洞表面也
能被其浸潤，故不殘留任何液體於電子材料微結構之中，也勿需再次使用
去離子水清洗潤濕，當然更無須後續的乾燥步驟，並可藉著壓力及溫度調
整流體密度進而改變溶解度。
超臨界流體目前已應用於半導體製程之光阻剝除、光阻顯影、光阻顯影
後乾燥、晶圓清洗以及薄膜沈積等領域；本研究依照計畫三年完成下列四
個實驗程序，評估超臨界流體在微影製程當中可能的應用範圍：（1）最佳
化超臨界流體剝除硬烤後光阻；（2）其它底材對光阻剝除影響；（3）硬烤
後續製程對光阻剝除影響；（4）超臨界流體顯影能力；藉助與工研院電子
所合作，提供經電子槍及紫外線曝光光源、塗佈三種以上商用光阻、乾溼
蝕刻及離子植佈後之樣品，以及表面微粒子掃瞄機、紅外線吸收光譜儀、
電子顯微鏡及橢圓測厚儀等固態物性的量測儀器，配合直交表實驗計畫嘗
試各種共溶劑添加，尋求最佳超臨界流體萃取配方，並以光譜法分析萃取
液的化性，推測可能萃取的機制；期望此製程改善研究能促進勞工作業環境的安全衛生，降低工業生產對生活環境的污染衝擊，且能帶動更創新的
製程技術及材料發展。