半導體內金屬成份之環境毒理研究---半導體內金屬成分在人類淋巴球及V79肺細胞的細胞遺傳毒性與其它環境毒物的協同遺傳毒性之研究(II)

電子業到西元2000年可能躍為全世界最大的工業，而半導體晶片為整個電子業之靈魂。半導體之主成份為矽(Si)，鍺(Ge)，鎵砷(Ga As)合金，或其他金屬或元素合金[如銦(In)，銻(Sb)，鋁(Al)，磷(P)、、、]，視半導體之特殊用途而含有不同之金屬或元素成份。如電子工業之製造、裝配、和回收管理不善，將使這些金屬汙染環境。所以對這些金屬之毒性有詳加研究之必要。可惜目前除砷和銻之毒性被了解較多外，其餘金屬之毒性被了解得相當有限，尤其對人類細胞之細胞遺傳毒性更是少被探討。這些金屬在職業上的暴露，主要來自呼吸道的吸入，所以本子計畫原以人類CCD32肺細胞當標本,後因此細胞之metaphase不易獲取所以改用同為肺細胞之V79細胞，另為配合核心計畫亦以人類淋巴球為標本，以姊妹染色分體交換法(SCE)或微小核法(MN)來探討氧化鍺(GeO2)，硫酸鎵[(Ga2(SO4)3]，氯化銻(SbCl3)，氯化銦(InCl3)之細胞遺傳毒性。本子計畫預計分三年完成。第一年探討各金屬鹽(Ga，Ge，In，Sb)之細胞遺傳毒性。第二年探討各金屬鹽之細胞遺傳毒性是否有交互作用存在？第三年探討各金屬鹽和其它環境毒物﹐PAHs[1-NP,1.6-DNP,B(a)P]﹐之協同遺傳毒性。以期研究結果能對半導體內金屬成分之細胞遺傳毒性，彼此之間的交互作用及和其它環境毒物之協同作用，能做一序列及較深入的了解，並配合其他子計畫以及核心計畫的研究結果作為政府輔導電子工業，以及保護現場操作人員及一般民眾健康之參考。